Диоды с барьером Шоттки на основе Β-GA2O3

Диоды с барьером Шоттки на основе Β-GA2O3

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г. С. 67
Главный автор:	Яковлев, Никита Николаевич
Другие авторы:	Алмаев, Алексей Викторович
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	бета-оксид галлия Шоттки диоды экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online-ссылка:	https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151547 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Фотоэлектрические свойства диода с барьером Шоттки на основе Pt/(100) Β-GA2O3
по: Цымбалов, Александр Вячеславович

Низкобарьерные диоды Шоттки на основе Al/n-GaAs с дельта-легированным приповерхностным слоем

Диоды Шоттки на основе GaAs с туннельнопрозрачным слоем Ga2Se3

Устойчивость к внешним воздействиям гетероструктур Me/Ga2Se3/GaAs с барьером Шоттки

Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. Физика, технология, применение: научное издание/
по: Стриха, В. И. Виталий Илларионович, et al.
Публикация: (1974)

Диоды Шоттки на гетероструктурах с двумерным электронным газом
по: Ющенко, Алексей Юрьевич

Исследование структуры контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия
по: Литвинюк, О. В.

Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия [монография]
по: Филонов, Николай Григорьевич
Публикация: (2018)

Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs
по: Вяткин, Анатолий Петрович

Монолитная интегральная схема двойного балансного смесителя для K-, Kа-диапазонов частот на основе диодов Шоттки вертикальной конструкции

Ion implantation in β-Ga2O3: Physics and technology

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе GaAs
по: Нетудыхатко, А. В.

Исследование влияния Fe+ на чувствительность пленок α-Ga2O3 И ε-Ga2O3 к H2
по: Плотников, Никита Владимирович

Предельное положение уровня Ферми в сильно облученных кристаллах нитрида галлия

Down-converters with doped solid solution crystals GaSe1-xSx for THz spectrometry

К вопросу о природе избыточных токов в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs
по: Филонов, Николай Григорьевич

S-диоды для накачки полупроводниковых лазерных диодов

Исследование электрических свойств пленок Ga2O3 и Cr2O3 со структурой корунда и гетероструктуры на их основе
по: Алмаев, Дмитрий Александрович

Исследование контакта Au-ZrN-n- GaAs с барьером Шоттки

Photoelectric characteristics of metal-Ga2O3-GaAs structures

Детектор терагерцового диапазона на диоде Шоттки
по: Пидотова, Диана Андреевна

Вольт-амперные характеристики структур арсенида галлия с барьером Шоттки, полученных с использованием очистки поверхности в потоке атомарного водорода

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе арсенида галлия
по: Захаров, Д. Н.

Диоды, мосты и стабилитроны фирмы DC Components/
Публикация: (1999)

Transmission spectra and generation of terahertz pulses in SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe and GaSe:S structures

Исследование аномально высокого времени релаксации фототока в диодах Шоттки на основе α-Ga2O3

Исследование низкочастотных флуктуаций тока в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs в области низких температур
по: Филонов, Николай Григорьевич

Диоды и их зарубежные аналоги Справочник: В 3 т.
по: Хрулев, Аркадий Квинтилианович
Публикация: (1998)

Физико-химические и электрофизические свойства тонких пленок β-Ga2O3:Zn, полученных методом PECVD

Спектры пропускания и генерация терагерцовых импульсов в структурах SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe и GaSe:S

Impact on the subsurface layers of the single-crystal β-Ga2O3 wafers induced by a mechanical wear

Исследование электрических характеристик GaAs-Ga2O3-структур

Определение транспортных характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе GaAs:Cr
по: Мокеев, Дмитрий Юрьевич

The radiation defects introduction in InP shottky diodes
по: Peshev, V. V.

Фотодетекторы УФ-излучения на основе пленок Ga2O3 с высоким быстродействием

Разработка высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Ge-Si с квантовыми точками Ge для портативных термофотогенераторов

Ga2O3 для приборов силовой и сенсорной электроники
по: Алмаев, Алексей Викторович

Светоизлучающие диоды. Основные технические решения. Итоги
по: Вилисов, Анатолий Александрович

Природа "низкотемпературной аномалии" в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

"Низкотемпературная аномалия" в контактах "металл - полупроводник" с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич