Фотоэлектрические свойства диода с барьером Шоттки на основе Pt/(100) Β-GA2O3
| Published in: | Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г. С. 68 |
|---|---|
| Main Author: | Цымбалов, Александр Вячеславович |
| Other Authors: | Алмаев, Алексей Викторович, Яковлев, Никита Николаевич |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151552 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Диоды с барьером Шоттки на основе Β-GA2O3
by: Яковлев, Никита Николаевич -
Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. Физика, технология, применение: научное издание/
by: Стриха, В. И. Виталий Илларионович, et al.
Published: (1974) - Photoelectric characteristics of metal-Ga2O3-GaAs structures
- Низкобарьерные диоды Шоттки на основе Al/n-GaAs с дельта-легированным приповерхностным слоем
-
Исследование структуры контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия
by: Литвинюк, О. В.
