Определение зависимости длины диффузии атомов Si на поверхности при гомоэпитаксиальном росте на Si(100)
| Published in: | Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г. С. 52 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | , |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151571 Перейти в каталог НБ ТГУ |