Кукенов, О. И., Дирко, В. В., & Майер, К. А. Определение зависимости длины диффузии атомов Si на поверхности при гомоэпитаксиальном росте на Si(100). Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г., koha001149282(Томск, 2024), .
Chicago Style (17th ed.) CitationКукенов, Олжас Игоревич, Владимир Владиславович Дирко, and Ксения Александровна Майер. "Определение зависимости длины диффузии атомов Si на поверхности при гомоэпитаксиальном росте на Si(100)." Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г. koha001149282, no. Томск, 2024 ().
MLA (8th ed.) CitationКукенов, Олжас Игоревич, et al. "Определение зависимости длины диффузии атомов Si на поверхности при гомоэпитаксиальном росте на Si(100)." Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г., vol. koha001149282, no. Томск, 2024, .