Определение зависимости длины диффузии атомов Si на поверхности при гомоэпитаксиальном росте на Si(100)

Похожие документы

• Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
  по: Кукенов, Олжас Игоревич
• Анализ длины димерного ряда при гетероэпитаксиальном росте Ge/Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов
  по: Кукенов, Олжас Игоревич
• О роли адсорбированных димеров кремния в кинетике движения атомных ступеней на поверхности Si(100)
  по: Эрвье, Юрий Юрьевич
• Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов
• Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)
  по: Кукенов, Олжас Игоревич