Температурная зависимость роста кремния и германия на графите при молекулярно-лучевой эпитаксии

Температурная зависимость роста кремния и германия на графите при молекулярно-лучевой эпитаксии

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г. С. 55
Главный автор:	Ворсин, Олег Игоревич
Другие авторы:	Дирко, Владимир Владиславович, Лозовой, Кирилл Александрович
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	кремний германий молекулярно-лучевая эпитаксия экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online-ссылка:	https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151619 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Обобщенная кинетическая модель роста двумерных и нульмерных структур кремния и германия
по: Лозовой, Кирилл Александрович

К расчету параметров самоорганизующихся наноостровков германия на кремнии
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Зависимость упругих напряжений от толщины осажденного материала при росте германия на кремнии
по: Коханенко, Андрей Павлович

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
по: Коханенко, Андрей Павлович

Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Оптоэлектронные элементы на основе материальной системы кремний - германий с квантовыми точками германия
по: Кравцова, Наталья Сергеевна

Особенности легирования и комплексообразования при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs

Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)
по: Ворсин, Олег Игоревич

Параметры массива квантовых точек германия на кремнии в зависимости от условий роста

Технология и аппаратура газовой эпитаксии кремния и германия: научное издание/
по: Лапидус, И. И. Илья Иосифович, et al.
Публикация: (1978)

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Влияние условий молекулярно-лучевой эпитаксии на захват кремния в A - и B - подрешетки арсенида галлия

Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
по: Кукенов, Олжас Игоревич

Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si
по: Ишков, Арман Дмитриевич

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации

Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники

Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур
по: Гнеушев, Анатолий Владимирович

Рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
по: Kokhanenko, Andrey P.

Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy

Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
по: Lozovoy, Kirill A.

Поверхностные процессы при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Generalized Muller-Kern formula for equilibrium thickness of a wetting layer with respect to the dependence of the surface energy of island facets on the thickness of the 2D layer
по: Lozovoy, Kirill A.

Солнечные элементы на основе квантовых структур кремний-германий
по: Кравцова, Наталья Сергеевна

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Электрические и оптические свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах

Особенности получения эпитаксиальных пленок КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Латтеган, А. Г.

Моделирование кинетики формирования клиновидных квантовых точек германия на кремнии
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии

Совершенствование технологии синтеза гетероструктур Si/Ge c квантовыми точками Ge методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Пищагин, Антон Александрович

Автоматизация управления испарителями в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Орликов, Николай Леонидович

Анализ гомоэпитаксиального роста тонких пленок кремния на сверхструктурах 1х2 и 2х1 методом дифракции быстрых электронов