Влияние магнитореологической полировки рабочей поверхности ZnGeP2 на оптическую прочность кристалла

Влияние магнитореологической полировки рабочей поверхности ZnGeP2 на оптическую прочность кристалла

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г. С. 14-15
Другие авторы:	Слюнько, Елена Сергеевна, Юдин, Николай Николаевич, Подзывалов, Сергей Николаевич, Лысенко, Алексей Борисович, Кальсин, Андрей Юрьевич, Габдрахманов, Акмаль Шамилович
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	фосфид германия цинка магнитореологическая обработка оптические пробои экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online-ссылка:	https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151724 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Определение влияния магнитореологической полировки рабочих поверхностей монокристалл ZnGeP2 на изменение порога оптического пробоя

Регистрация фононных мод кристалла ZnGeP2 с использованием спектроскопии комбинационного рассеяния

The influence of angstrom-scale roughness on the laser-induced damage threshold of single-crystal ZnGeP2

Контроль качества монокристаллов ZnGeP2 оптическими методами
по: Демин, Виктор Валентинович

Идентификация полос роста монокристаллов ZnGeP2 методом цифровой голографии

Разведочный анализ спектров поляризационного комбинационного рассеяния кристаллов ZnGeP2 методами машинного обучения

Угловая зависимость спектров комбинационного рассеяния в кристалле ZnGeP2: анализ симметрии и определение компонентов рамановских тензоров

Визуализация и характеризация предпробойных процессов в объеме монокристалла ZnGeP2 во время параметрической генерации излучения в диапазоне длин волн 3,5-5 мкм при накачке излучением HO: YAG лазера
по: Власов, Денис Васильевич

О механизме оптического пробоя монокристалла ZnGeP2

Локальные уровни собственных дефектов в GaP и ZnGeP2
по: Воеводин, Валерий Георгиевич

Анализ остаточного оптического поглощения в ближней ИК-области в кристаллах ZnGeP2
по: Воеводин, Валерий Георгиевич

Влияние лазерной закалки поверхности монокристаллов ZnGeP2 на порог оптического пробоя
по: Кальсин, Андрей Юрьевич

Оптическое "просветление" нелинейно-оптического кристалла ZnGeP2
по: Воеводин, Владимир Иванович

Влияние послеростовых обработок монокристаллов ZnGeP2 на оптические свойства в ТГц-диапазоне
по: Воеводин, Владимир Иванович

Перестраиваемый в диапазоне длин волн 3.3−4.2 мкм параметрический генератор света на базе монокристалла ZnGeP2 со спектральной шириной генерируемого излучения 1 см-1

Моделирование континуального поглощения монокристаллического ZnGeP2

Влияние параметров лазерной закалки на порог оптического пробоя поверхности монокристаллов

Просветляющие оптические покрытия нелинейных кристаллов ZnGeP2

Параметрический генератор света на базе нелинейного кристалла ZnGeP2 для дистанционного обнаружения утечек метана

Исследование процесса синтеза ZnGeP2 двухтемпературным методом
по: Бобылева, О. Д.

Quality control of ZnGeP2 single crystals using optical methods
по: Dyomin, Victor V.

Энергетические характеристики параметрического генератора на базе нелинейного кристалла ZnGeP2 для лидарных систем и дистанционного газоанализа
по: Юдин, Николай Николаевич

Ab-initio study of cation-rich InP(001) and GaP(001) surface reconstructions and iodine adsorption
по: Bakulin, Alexander V.

Методы цифровой голографии для исследования механизма оптического пробоя монокристалла ZnGeP2

High-strength optical coatings for single-crystal ZnGeP2 by the IBS method using selenide and oxide materials

Исследование процесса оптического пробоя кристаллов ZnGeP2 посредством цифровой голографии

Диагностика включений в кристаллах ZnGeP2 методом терагерцовой спектроскопии

Улучшение пространственной однородности монокристаллов ZnGeP2, выращиваемых методом Бриджмена в вертикальном варианте

Адаптация теории интерферометра Фабри-Перо для обработки данных терагерцовой спектроскопии ZnGeP2

Исследования роста крупноразмерных монокристаллов ZnGeP2 для параметрических генераторов света
по: Титов, Константин Сергеевич

Влияние технологии постростовой обработки на порог оптического пробоя монокристалла ZnGeP2

Influence of postgrowth processing technology on the laser induced damage threshold of ZnGeP2 single crystal

Laser-induced damage threshold of ZnGeP2 crystal for (sub)picosecond 1-μm laser pulse

Генерация ТГц-излучения на разностной частоте в ZnGeP2 при накачке излучением стронциевого лазера

Multilayer antireflection optical coatings based on Nb, Si and Al oxides for nonlinear ZnGeP2 crystals

Влияние постростовых технологических обработок на диэлектрические параметры кристаллов ZnGeP2 в терагерцовом диапазоне частот
по: Воеводин, Владимир Иванович

Численное исследование процессов массопереноса в газовой фазе при двухтемпературном синтезе ZnGeP2
по: Лебедев, И. Н.

Электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-TiO2/n-GaP
по: Брус, Виктор Васильевич

Фазовый состав и морфология поверхности диэлектрических и полупроводниковых пленок, сформированных термооксидированием гетероструктур (V2O5+PbO)/InP и (NiO+PbO)/InP

Influence of post-post processing technology and laser radiation parameters on the optical breakdown threshold of a ZnGeP2 single crystal