Визуализация и характеризация предпробойных процессов в объеме монокристалла ZnGeP2 во время параметрической генерации излучения в диапазоне длин волн 3,5-5 мкм при накачке излучением HO: YAG лазера

Визуализация и характеризация предпробойных процессов в объеме монокристалла ZnGeP2 во время параметрической генерации излучения в диапазоне длин волн 3,5-5 мкм при накачке излучением HO: YAG лазера

Показать другие варианты (1)

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г. С. 21
Главный автор:	Власов, Денис Васильевич
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	фосфид германия цинка параметрическая генерация излучения нелинейные кристаллы статьи в сборниках
Online-ссылка:	https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151744 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Визуализация и характеризация предпробойных процессов в объеме монокристалла ZnGeP2 во время параметрической генерации излучения в диапазоне длин волн 3.5-5 мкм при накачке излучением Ho:YAG-лазера

Идентификация полос роста монокристаллов ZnGeP2 методом цифровой голографии

Контроль качества монокристаллов ZnGeP2 оптическими методами
по: Демин, Виктор Валентинович

Ab-initio study of cation-rich InP(001) and GaP(001) surface reconstructions and iodine adsorption
по: Bakulin, Alexander V.

Регистрация фононных мод кристалла ZnGeP2 с использованием спектроскопии комбинационного рассеяния

Влияние магнитореологической полировки рабочей поверхности ZnGeP2 на оптическую прочность кристалла

Разведочный анализ спектров поляризационного комбинационного рассеяния кристаллов ZnGeP2 методами машинного обучения

Угловая зависимость спектров комбинационного рассеяния в кристалле ZnGeP2: анализ симметрии и определение компонентов рамановских тензоров

Фазовый состав и морфология поверхности диэлектрических и полупроводниковых пленок, сформированных термооксидированием гетероструктур (V2O5+PbO)/InP и (NiO+PbO)/InP

Влияние модифицирования поверхности InP композициями оксидов (V2O5+PbO) и (NiO+PbO) разного состава на процесс термооксидирования полупроводника и характеристики формируемых оксидных пленок

Особенности кинетики и механизма формирования пленок при оксидировании гетероструктур V2O5/InP, сформированных методами реактивного магнетронного распыления и электрического взрыва проводника

Определение толщины и фазового состава пленок, синтезированных хемостимулированным термооксидированием InP под воздействием композиции оксидов V2O5+MnO 2 разного состава

Электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-TiO2/n-GaP
по: Брус, Виктор Васильевич

Анализ остаточного оптического поглощения в ближней ИК-области в кристаллах ZnGeP2
по: Воеводин, Валерий Георгиевич

Термическое оксидирование арсенида галлия и фосфида индия в присутствии оксидов-примесей Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук. 02.00.04
по: Свиридова, Вера Васильевна
Публикация: (1995)

Мощные диоды Ганна 8-мм диапазона: GaAs, InP
по: Лукаш, Виталий Сергеевич

Локальные уровни собственных дефектов в GaP и ZnGeP2
по: Воеводин, Валерий Георгиевич

Особенности формирования DX-центров примесями S и Si в InGaP "переходного" диапазона составов

Влияние параметров лазерной закалки на порог оптического пробоя поверхности монокристаллов

Полупроводниковые материалы в современной электронике/
по: Мильвидский, М. Г. Михаил Григорьевич
Публикация: (1986)

Молекулярно-лучевая эпитаксия фосфорсодержащих соединений с использованием потока фосфора, получаемого при термическом разложении InP

Эффективность встраивания фосфора из потока молекул P2 (P4) при молекулярно-лучевой эпитаксии GaP

Влияние облучения реакторными нейтронами на структуру монокристаллов InP

Visualization and characterization of pre-breakdown processes in the volume of a ZnGeP2 single crystal during parametric generation of radiation in the wavelength range of 3.5-5 μm when pumped by Ho: YAG laser radiation

Перестраиваемый в диапазоне длин волн 3.3−4.2 мкм параметрический генератор света на базе монокристалла ZnGeP2 со спектральной шириной генерируемого излучения 1 см-1

Широкополосная лазерная система на монооксиде углерода, действующая в интервале длин волн 2.5-8.3 мкм

Электрофизические свойства и чувствительность к всестороннему сжатию облученного электронами GaP
по: Брудный, Валентин Натанович

О механизме оптического пробоя монокристалла ZnGeP2

3D-моделирование дефектной субструктуры в объеме металлического монокристалла при растяжении

Методы цифровой голографии для исследования механизма оптического пробоя монокристалла ZnGeP2

Влияние технологии постростовой обработки на порог оптического пробоя монокристалла ZnGeP2

Характеризация подпрямо неразложимых полигонов
по: Кожухов, Игорь Борисович

Выбор оптимальных условий фазового синхронизма для полупроводниковых нелинейных кристаллов при каскадной накачке в области 2 мкм

Разработка тонкопленочного покрытия Nb2O5/SiO2 для зеркал резонатора параметрического генератора света на основе монокристалла ZnGeP2

Лучевая прочность тонкопленочного покрытия Nb2O5/SiO2 для зеркал резонатора параметрического генератора света на основе монокристалла ZnGeP2

Характеризация APN-функций через подфункции
по: Городилова, Анастасия Александровна

Характеризация матроидов в терминах поверхностей
по: Ильев, Артем Викторович

Ho Chi Minh a biography
по: Brocheux, Pierre
Публикация: (2007)

Моделирование разрушения монокристалла алюминия
по: Кривошеина, Марина Николаевна

Генерация мощного ТГц излучения в ZnGeP2 при фемтосекундной накачке излучением титан-сапфирового лазера