Контроль однородности полупроводниковых пленок в процессе проведения зондовых измерений удельной электропроводности

Рассмотрены основные выражения, позволяющие определять значение удельной электропроводности в полупроводниковых пластинах и пленках прямоугольной и круглой формы при двухзондовом методе измерений на постоянном токе. На основе асимптотического анализа получены приближенные удобные для расчетов фо...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 68, № 2. С. 82-91
Other Authors: Заворотний, Анатолий Анатольевич, Ершов, Александр Анатольевич, Филиппов, Владимир Владимирович физик, Лузянин, Сергей Евгеньевич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001153136
Перейти в каталог НБ ТГУ
LEADER 03256nab a2200397 c 4500
001 koha001153136
005 20250310130826.0
007 cr |
008 250305|2025 ru s c rus d
024 7 |a 10.17223/00213411/68/2/9  |2 doi 
035 |a koha001153136 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Контроль однородности полупроводниковых пленок в процессе проведения зондовых измерений удельной электропроводности  |c А. А. Заворотний, А. А. Ершов, В. В. Филиппов, С. Е. Лузянин 
246 1 1 |a Monitoring the homogeneity of semiconductor films during probe measurements of electrical conductivity 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 15 назв. 
506 |a Ограниченный доступ 
520 3 |a Рассмотрены основные выражения, позволяющие определять значение удельной электропроводности в полупроводниковых пластинах и пленках прямоугольной и круглой формы при двухзондовом методе измерений на постоянном токе. На основе асимптотического анализа получены приближенные удобные для расчетов формулы для разности потенциалов между измерительными зондами. Показано, что в большинстве практически используемых случаев предлагаемые асимптотические формулы можно использовать без увеличения измерительной погрешности в случаях контроля однородности распределения электрофизических параметров исследуемых образцов. 
653 |a полупроводниковые кристаллы 
653 |a двухзондовый метод 
653 |a удельная электропроводность 
653 |a граничные условия 
653 |a асимптотический анализ 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Заворотний, Анатолий Анатольевич  |9 495859 
700 1 |a Ершов, Александр Анатольевич  |9 986427 
700 1 |a Филиппов, Владимир Владимирович  |c физик  |9 267866 
700 1 |a Лузянин, Сергей Евгеньевич  |9 986428 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2025  |g Т. 68, № 2. С. 82-91  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001153136 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1153136 
908 |a статья 
999 |c 1153136  |d 1153136 
039 |b 100