Электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пленок оксида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11

Электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пленок оксида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11

Библиографическая информация
Главный автор:	Цымбалов, Александр Вячеславович
Соавтор:	Томский государственный университет
Другие авторы:	Калыгина, Вера Михайловна (Thesis advisor)
Формат:	Электронная книга
Язык:	Russian
Публикация:	Томск [б. и.] 2024
Предметы:	Физика полупроводников диссертации оксид галлия, тонкие пленки гетероструктуры пленки оксида галлия, термический отжиг пленки оксида галлия, характеристики электрические пленки оксида галлия, характеристики фотоэлектрические высокочастотное распыление пленки оксида галлия, морфология поверхности пленки оксида галлия, структура пленки оксида галлия, фазовый состав пленки оксида галлия, воздействие УФ-излучения пленки оксида галлия, образование критического электрического поля оксид галлия/арсенид галлия, гетерограница электронные ловушки на поверхности оксида галлия
Online-ссылка:	https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001153221 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Петрова, Юлианна Сергеевна
Публикация: (2022)

Исследование влияния процессов получения на свойства пленок Ga2O3
по: Таллер, Елена Викторовна

Анодные пленки Gа2O3, полученные окислением пластин n-GaAs в гальваностатическом режиме

Влияние типа подложки на фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/GaAs

Электрофизические характеристики гетероструктур Ga2O3/GaAs, полученные методом анодного окисления
по: Таллер, Елена Викторовна

Свойства структур на основе пленок оксида галлия
по: Лыгденова, Туяна Зоригтоевна

Солнечно-слепые детекторы УФ-излучения на основе пленок оксида галлия
по: Петрова, Юлианна Сергеевна

Self-powered photo diodes based on Ga2O3/n-GaAs structures

Properties of gallium oxide films obtained by HF-magnetron sputtering

HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer

Плазмохимический синтез, исследование и применение тонких пленок оксида галлия, оксида цинка и бинарной оксидной системы ZnO-TeO2 монография
Публикация: (2024)

Фотоэлектрические характеристики пленок GaxOy и структур на их основе
по: Егорова, Ирина Максимовна

Тонкопленочные просветвляющие покрытия на основе Ta2O5 для солнечных элементов на GaAs
по: Чистоедова, Инна Анатольевна

Получение пленок на основе оксида титана(IV) с оксидом церия(IV) из пленкообразующих растворов
по: Федосов, Дмитрий Сергеевич

Исследование структурных, оптических и электрических характеристик наночастиц ZnO, легированных FeO
по: Haj Ismail, A

Влияние отжига в аргоне на свойства пленок оксида галлия, полученных термическим напылением

Transmission spectra and generation of terahertz pulses in SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe and GaSe:S structures

Свойства структур Ga2O3-GaAs в видимом и УФ-диапазонах

Особенности фотоэлектрических характеристик структур TiO2-Si

Спектры пропускания и генерация терагерцовых импульсов в структурах SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe и GaSe:S

Влияние термического отжига на свойства структур GaxOy/n-GaAs
по: Ремизова, Ирина Леонидовна

Пленки оксида галлия, полученные методом термического напыления

Влияние термического отжига и воздействия кислородной плазмы на свойства структур TiO2-Si

Zinc oxide films obtained by sol-gel method from film-forming solutions
по: Kuznetsova, Svetlana A.

Получение и свойства тонких поликристаллических пленок GaSb на неориентирующих подложках

Пост-эффекты при фотовосстановлении пленок оксида графена

Люминесценция и электрические свойства окиси цинка диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Коновалов, Г. А.
Публикация: (1951)

Физико-химические и электрофизические свойства тонких пленок β-Ga2O3:Zn, полученных методом PECVD

Hydrogen sensors based on Pt/α-Ga2O3:Sn/Pt structures

Свойства пленок TiO2 на кремниевых подложках

Высокая чувствительность пленок оксида индия, полученных методом хлоридной газофазной эпитаксии, к аммиаку

Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg

Oxygen sensors based on gallium oxide thin films with addition of chromium

Electrical properties of nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates

Влияние температуры отжига на спектры пропускания пленок GaxOy, полученных методом термического испарения

Газочуствительные свойства диэлектрических слоев на GaAs полученных термическим окислением в присутствии соединений - активаторов
по: Миттова, Ирина Яковлевна

Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN

Development of GaAs epitaxy-from bulk growth to ultra-tgin film growth for nano-structure devices
по: Nishizawa, Jun-ichi

Свойства резистивных структур на основе полиморфных фаз оксида галлия

Photoelectric characteristics of metal-Ga2O3-GaAs structures