Формирование и свойства фотодиодных структур Al/Mg2Si/Si/Au-Sb
В условиях сверхвысокого вакуума на подложке Si (111) методом послойного соосаждения пар слоев Mg и Si при температуре 250 °С на предварительно сформированный аморфный буферный слой кремния выращены толстые поликристаллические пленки Mg2Si c толщинами 496 и 692 нм. Формирование кристаллического...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 68, № 3. С. 22-31 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001155240 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Итог: | В условиях сверхвысокого вакуума на подложке Si (111) методом послойного соосаждения пар слоев Mg и Si при температуре 250 °С на предварительно сформированный аморфный буферный слой кремния выращены толстые поликристаллические пленки Mg2Si c толщинами 496 и 692 нм. Формирование кристаллического Mg2Si подтверждено данными спектроскопии комбинационного рассеяния света. По спектрам пропускания и отражения, полученным методом оптической спектроскопии, был рассчитан спектр коэффициента поглощения, что позволило установить ширину непрямой запрещенной зоны в пленках Mg2Si (0.80-0.86 эВ) и определить первый прямой межзонный переход с энергией 1.09-1.10 эВ, согласующийся с литературными данными. На основе сформированных пленок были изготовлены фотодиодные структуры, для которых сняты темновые вольт-амперные характеристики (ВАХ) и спектры фотоотклика при различных напряжениях на гетероструктуре Al/Mg2Si/Si/Au−Sb. Анализ ВАХ и спектров фотоотклика показал, что характеристики сильно отличаются от таковых для стандартного кремниевого p-n-перехода. Установлена зависимость спектров фотоотклика от знака и величины приложенного к контактам потенциала. Основной особенностью является узкая спектральная характеристика фотоотклика при 1050 нм, отсутствующая у кремниевого фотодиода. Анализ данных показал, что при высокотемпературном отжиге кремния в нем формируется двойной p-n-переход с запорным слоем, который вместе с гетеропереходом Mg2Si/Si-p и определяет уникальные свойства созданной гетероструктуры. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 20 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |
| Доступ: | Ограниченный доступ |