Формирование и свойства фотодиодных структур Al/Mg2Si/Si/Au-Sb
В условиях сверхвысокого вакуума на подложке Si (111) методом послойного соосаждения пар слоев Mg и Si при температуре 250 °С на предварительно сформированный аморфный буферный слой кремния выращены толстые поликристаллические пленки Mg2Si c толщинами 496 и 692 нм. Формирование кристаллического...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 68, № 3. С. 22-31 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001155240 Перейти в каталог НБ ТГУ |