Synthesis and Bridgman growth of Ga2S3 crystals

In this work, Ga2S3 crystals were obtained by vertical Bridgman method. The presence of cracks in the grown crystals was interpreted as a result of phase transition into monoclinic structure during cooling. This suggests the use of another approach for the growth of high quality samples, e.g. chemic...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Key engineering materials Vol. 683. P. 71-76
Другие авторы: Kokh, Konstantin A., Lapin, Ivan N., Svetlichnyi, Valerii A., Galiyeva, Perizat, Bakhadur, Askar, Andreev, Yury M. 1946-
Формат: Статья в журнале
Язык:English
Предметы:
Online-ссылка:https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001159197
Перейти в каталог НБ ТГУ
LEADER 02034nab a2200397 c 4500
001 koha001159197
005 20250627155551.0
007 cr |
008 250618|2016 sz s a eng d
024 7 |a 10.4028/www.scientific.net/KEM.683.71  |2 doi 
035 |a koha001159197 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Synthesis and Bridgman growth of Ga2S3 crystals  |c K. A. Kokh, I. N. Lapin, V. A. Svetlichny [et al.] 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 12 назв. 
506 |a Ограниченный доступ 
520 3 |a In this work, Ga2S3 crystals were obtained by vertical Bridgman method. The presence of cracks in the grown crystals was interpreted as a result of phase transition into monoclinic structure during cooling. This suggests the use of another approach for the growth of high quality samples, e.g. chemical transport method or melt-solution method. Maximal transparency range of 0.48-22.5 µm and at least 10 times higher damage threshold to that for GaSe render anisotropic Ga2S3 crystal among the most prospective crystals for nonlinear applications. 
653 |a полупроводники 
653 |a Бриджмена метод 
653 |a моноклинная фаза 
653 |a кристаллизация 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Kokh, Konstantin A.  |9 89168 
700 1 |a Lapin, Ivan N.  |9 100086 
700 1 |a Svetlichnyi, Valerii A.  |9 562988 
700 1 |a Galiyeva, Perizat  |9 990703 
700 1 |a Bakhadur, Askar  |9 990704 
700 1 |a Andreev, Yury M.  |d 1946-  |9 564682 
773 0 |t Key engineering materials  |d 2016  |g Vol. 683. P. 71-76  |x 1013-9826 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001159197 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1159197 
908 |a статья 
039 |b 100 
999 |c 1159197  |d 1159197