Применение СВЧ-резонаторного метода для измерения удельного сопротивления эпитаксиальных пленок кремния и германия

Применение СВЧ-резонаторного метода для измерения удельного сопротивления эпитаксиальных пленок кремния и германия

В данной работе исследуется применение микроволнового резонансного метода для неразрушающего измерения удельного сопротивления эпитаксиальных пленок кремния и германия. Описывается экспериментальная установка, состоящая из генератора, резонатора, измерителя КСВ и устройства для измерения амплитуды...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Инноватика-2025 : сборник материалов XXI Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 28-30 апреля 2025 г., г. Томск, Россия С. 195-199
Другие авторы:	Левашкин, Андрей Геньевич, Шабанова, Анастасия Андреевна, Дирко, Владимир Владиславович, Кукенов, Олжас Игоревич
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	микроволновой резонансный метод кремний германий экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online-ссылка:	https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001272804 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Особенности измерения удельного сопротивления поликристаллического кремния

Использование СВЧ-резонаторного метода для измерения удельного сопротивления полупроводниковых пластин из карбида кремния

Технология и аппаратура газовой эпитаксии кремния и германия: научное издание/
по: Лапидус, И. И. Илья Иосифович, et al.
Публикация: (1978)

Обобщенная кинетическая модель роста двумерных и нульмерных структур кремния и германия
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Моделирование и оптимизация коэффициента усиления и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе кремния и германия
по: Диб, Хазем

Моделирование электронных свойств напряженного кремния на германиевой подложке
по: Филиппов, Владимир Владимирович физик

К расчету параметров самоорганизующихся наноостровков германия на кремнии
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Влияние удельной энергии ребер на параметры массива квантовых точек германия на кремнии
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Влияние удельной энергии ребер на величину активационного барьера нуклеации при росте квантовых точек германия на кремнии
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния

Расчет шумовых и сигнальных характеристик фотодетекторов с квантовыми точками германия на кремнии
по: Коханенко, Андрей Павлович

Оптоэлектронные элементы на основе материальной системы кремний – германий с квантовыми точками германия
по: Кравцова, Наталья Сергеевна

Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев
по: Лозовой, Кирилл Александрович

High-yield microwave synthesis of layered Y2(OH)5NO3xH2O materials

Effect of microwave-hydrothermal synthesis on tin (II) oxide properties
по: Pichugina, Alina A.

Зависимость упругих напряжений от толщины осажденного материала при росте германия на кремнии
по: Коханенко, Андрей Павлович

Моделирование кремниевого p–i–n-фотодиода со встроенными слоями квантовых точек германия с помощью «TCAD Sentaurus»

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
по: Коханенко, Андрей Павлович

Двумерные материалы на основе элементов группы IVA: последние достижения в эпитаксиальных методах синтеза

Suppression of hole relaxation in small sized Ge/Si quantum dots

Influence of edge energy on modeling the growth kinetics of quantum dots
по: Lozovoy, Kirill A.

The modulated structure and frequency upconversion properties of CaLa2(MoO4)4:Ho3+/Yb3+ phosphors prepared by microwave synthesis

Параметры массива квантовых точек германия на кремнии в зависимости от условий роста

Phonon bottleneck in p-type Ge/Si quantum dots

Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии

Ионное легирование полупроводников. (Кремний и германий): Пер. с англ./
по: Мейер, Дж, et al.
Публикация: (1973)

Примерная программа учебной дисциплины "Перспективные направления наноэлектроники": учебные программы/
Публикация: (2011)

Прибор для бесконтактного метода измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов

Прибор для комплексного метода измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов

Измерение удельного сопротивления высокоомных эпитаксиальных слоев арсенида галлия
по: Пономарев, Иван Викторович

Исследование ионно-реактивного метода осаждения пленок нитрида кремния: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук./
по: Смирнова, К. И.
Публикация: (1971)

Формировани е наночастиц Fe2O3 в тугоплавких солевых матрицах при микроволновом воздействии
по: Ванецев, А. С.

Распределение температуры в фантоме конечности в микроволновой камере с линейным излучателем
по: Нечаев, Александр Николаевич

Синтез монодисперсных порошков люминофоров Y2O3:Eu с использованием микроволнового воздействия
по: Буткина, Е. П.

Исследование кинетики твердофазной реакции формирования NiFe2O4 в микроволновом поле
по: Ванецев, А. С.

Микроволновой синтез фотокаталитически активного материала на основе SnO
по: Кузнецова, Светлана Анатольевна химик

Strain-induced localization of electrons in layers of the second-type Ge/Si quantum dots

Localization of electrons in dome-shaped GeSi/Si islands

Admittance Spectroscopy for the Research of Germanium-on-Silicon Quantum Dot Structures Parameters