|
|
|
|
| LEADER |
03973nam a2200625 c 4500 |
| 001 |
koha001273788 |
| 005 |
20260219110550.0 |
| 008 |
110517s1979 ru ad||f ab|| 000 0 rus d |
| 017 |
|
|
|a 79-90277
|
| 035 |
|
|
|a koha001273788
|
| 039 |
|
|
|z 77
|b 106
|
| 040 |
|
|
|a RuMoRGB
|b rus
|c ELAR
|e rcr
|d RU-ToGU
|
| 041 |
0 |
|
|a rus
|
| 044 |
|
|
|a ru
|
| 080 |
|
|
|a 621.315.592:537.311.322(082)
|
| 084 |
|
|
|a В379.2я43
|2 rubbk
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Физика сложных полупроводниковых соединений
|b [сборник статей]
|c Акад. наук Молд. ССР, Ин-т прикладной физики ; [редкол.: С. И. Радауцан (отв. ред.) и др.]
|
| 260 |
|
|
|a Кишинев
|b Штиинца
|c 1979
|9 1014250
|
| 300 |
|
|
|a 226, [1] с.
|b ил.
|c 21 см
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a непосредственный
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр. в конце ст.
|
| 650 |
|
7 |
|a Полупроводниковые соединения - Физика - Сборники
|2 RKP
|9 1014251
|
| 653 |
|
|
|a полупроводники сложные кристаллические
|
| 653 |
|
|
|a полупроводники сложные стеклообразные
|
| 653 |
|
|
|a полупроводники сложные, свойства оптические
|
| 653 |
|
|
|a полупроводники сложные, свойства фотоэлектрические
|
| 653 |
|
|
|a полупроводники сложные, свойства физико-химические
|
| 653 |
|
|
|a полупроводники сложные, свойства электрические
|
| 653 |
|
|
|a полупроводники сложные, свойства гальваномагнитные
|
| 653 |
|
|
|a шпинели полупроводниковые магнитные
|
| 653 |
|
|
|a тиогаллаты полупроводниковые фоточувствительные
|
| 653 |
|
|
|a индия фосфиды (полупроводниковые материалы)
|
| 653 |
|
|
|a галлия фосфиды (полупроводниковые материалы)
|
| 653 |
|
|
|a цинка теллуриды (полупроводниковые материалы)
|
| 653 |
|
|
|a полупроводники магнитные
|
| 653 |
|
|
|a гетероструктуры
|
| 653 |
|
|
|a халькогенидные стекла
|
| 653 |
|
|
|a Шоттки барьеры
|
| 653 |
|
|
|a полупроводниковые материалы бинарные
|
| 653 |
|
|
|a полупроводниковые материалы тройные
|
| 653 |
|
|
|a полупроводниковые соединения сложные
|
| 653 |
|
|
|a монокристаллы легированные, получение
|
| 653 |
|
|
|a монокристаллы нелегированные, получение
|
| 653 |
|
|
|a гомогенные пленочные структуры, создание
|
| 653 |
|
|
|a гетерогенные пленочные структуры, создание
|
| 653 |
|
|
|a полупроводниковые приборные структуры, деградация
|
| 653 |
|
|
|a полупроводниковые приборные структуры, контроль физических свойств
|
| 653 |
|
|
|a полупроводниковое материаловедение
|
| 700 |
1 |
|
|a Радауцан, Сергей Иванович
|d 1926-1998
|4 edt
|9 1014252
|
| 710 |
2 |
|
|a Институт прикладной физики (Кишинев)
|9 399963
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|n ru
|
| 856 |
|
|
|y Перейти в каталог НБ ТГУ
|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1273788
|
| 952 |
|
|
|0 0
|1 0
|4 0
|6 1373531
|7 0
|9 877419
|a RU-ToGU
|b RU-ToGU
|c 10024
|d 2026-01-21
|g 2.30
|l 0
|o 1-373531
|p 13820001086158
|r 2026-01-21 13:29:32
|w 2026-01-21
|y 4
|
| 999 |
|
|
|c 1273788
|d 1273788
|
