Энергетика образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом
На основе развития существующих термодинамических моделей эпитаксиального роста рассмотрена энергетика образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом. Предложен метод оценки величины поверхностной энергии граней при известном контактном угле. Показано существовани...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 68, № 12. С. 58-64 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001291048 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Итог: | На основе развития существующих термодинамических моделей эпитаксиального роста рассмотрена энергетика образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом. Предложен метод оценки величины поверхностной энергии граней при известном контактном угле. Показано существование равновесного значения угла при основании, при котором для заданных энергетических, упругих и морфологических параметров системы достигается минимум свободной энергии, что соответствует экспериментально наблюдаемой геометрической форме островка. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 21 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |
| Доступ: | Ограниченный доступ |