Спад квантовой эффективности в структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Похожие документы

• Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках
• Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN
  по: Копьев, Виктор Васильевич
• Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
  по: Давыдов, Валерий Николаевич
• Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
  по: Копьев, Виктор Васильевич
  Публикация: (2019)
• Diffusion of magnesium in LED structures with InGaN/GaN quantum wells at true growth temperatures 860-980°C of p-GaN
  по: Romanov, I. S.