Спад квантовой эффективности в структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Спад квантовой эффективности в структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Bibliographic Details
Published in:	Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г. С. 26-27
Main Author:	Копьев, Виктор Васильевич
Corporate Authors:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ, Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ
Other Authors:	Романов, Иван Сергеевич
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	светодиодные структуры множественные квантовые ямы квантовая эффективность статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000523012 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках

Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN
by: Копьев, Виктор Васильевич

Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
by: Давыдов, Валерий Николаевич

Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Копьев, Виктор Васильевич
Published: (2019)

Diffusion of magnesium in LED structures with InGaN/GaN quantum wells at true growth temperatures 860-980°C of p-GaN
by: Romanov, I. S.

Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами

Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN

Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока

Спектры электролюминесценции "красных" светодиодов AlGaInP/GaAs

Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN

Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
by: Бурмистров, Евгений Романович

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
by: Брудный, Валентин Натанович

Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Сравнительный анализ падения эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при электрических и оптических условиях накачки
by: Копьев, Виктор Васильевич

Численное моделирование светодиодных структур на основе GaN/InGaN
by: Иванова, Елизавета Сергеевна

Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C
by: Романов, Иван Сергеевич

Comparative analysis of efficiency droop in InGaN/GaN lightemitting diodes for electrical and optical pumping conditions
by: Kopyev, Viktor V.

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
by: Караваев, Геннадий Федорович

Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
by: Копьев, Виктор Васильевич

Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
by: Караваев, Геннадий Федорович

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN

Исследование вольт-фарадных характеристик светодиодов с множественными квантовыми ямами GaInP/AlGaInP
by: Бессонов, Дмитрий Владимирович

Расчет характеристик синего светодиода GaN с одной квантовой ямой
by: Шабанов, Генрих Александрович

Пьезоэлектрическая релаксация двумерного электронного газа в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN
by: Бурмистров, Евгений Романович

Effect of the barrier thickness on the optical properties of InGaN/GaN/Al2O3 (0001) LED heterostructures

Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation

Падение эффективности в светодиодных структуах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
by: Копьев, Виктор Васильевич

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Внутренняя квантовая эффективность светодиодных структур при различных распределениях носителей заряда по квантовым ямам InGaN/GaN
by: Романов, Иван Сергеевич

Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки

Определение элементов эквивалентной схемы гетероструктур с множественными квантовыми ямами
by: Давыдов, Валерий Николаевич

Спектральные характеристики гетероструктур для светодиодов на основе твердых растворов
by: Ломов, Евгений Юрьевич

Эквивалентная схема гетероструктуры с множественными квантовыми ямами
by: Давыдов, Валерий Николаевич

Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells

Свойства наноструктур с квантовыми ямами на основе CdHgTe для фотоники