Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография

Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография

Bibliographic Details
Main Author:	Боуэн, Д. К.
Other Authors:	Таннер, Б. К., Шульпина, И. Л. (Editor)
Format:	Book
Language:	Russian
Published:	СПб. Наука 2002
Subjects:	полупроводниковое материаловедение. электронная техника. рентгеновские дифракционные методы. кристаллы. рентгеновская топография. детекторы. эпитаксиальные слои. тонкие пленки. многослойные системы. синхротронное излучение. компьютерное моделирование. дифрактометрия.
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Современные методы анализа дифракционных данных (топография, дифрактометрия, электронная микроскопия) : программа и тезисы докладов Второго научного семинара с международным участием, 26-28 мая 2004 г.
Published: (2004)

Рентгеновская дифрактометрия ферритов, спеченных в поле мощного электронного облучения
by: Суржиков, Анатолий Петрович

Современные методы анализа дифракционных данных (топография, дифрактометрия, электронная микроскопия) сборник материалов и программа Первой международной научной школы-семинара, 21-25 мая 2007 года
Published: (2007)

Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001)

Отчет Сибирского центра синхротронного излучения за 2001 год
Published: (2002)

Просвечивающая электронная микроскопия и дифрактометрия материалов
by: Фульц, Брент
Published: (2011)

Зеркальная рентгеновская оптика
Published: (1989)

Рентгеновская дифрактометрия
by: Хейкер, Даниэль Моисеевич
Published: (1963)

Рентгеновская дифрактометрия [учебное пособие по курсам "Методы исследования структуры веществ", "Молекулярная физика", "Физика диэлектриков и полупроводников", "Материаловедение" для студентов специальности Н 02.01.00 -Физика, Н 02.02.00 - Радиофизика, Т 03.02.00 - Технология и оборудование высокоэффективных процессов обработки материалов, Т 06.01.00 - Приборостроение]
by: Лиопо, Валерий Александрович
Published: (2000)

Детекторы ядерных излучений на основе эпитаксиальных слоев AlGaAs

Тензоэлектросопротивление эпитаксиальных пленок ALxGa1-xAs n-типа проводимости
by: Гриняев, Сергей Николаевич

Исследование эпитаксиальных гетерослоев GeSi/Si методом рентгеновской дифрактометрии
by: Карева, Катерина Валерьевна

Наука и жизнь: моя конвергенция
by: Ковальчук, Михаил Валентинович 1946-
Published: (2012)

Исследование детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия

40 лет Научно-исследовательскому институту полупроводниковых приборов история в лицах
Published: (2004)

Эпитаксиальные слои GaAs и твердые растворы на его основе, получаемые методом MOCVD
by: Вертопрахов, Владимир Никифорович

Библиографический указатель публикаций сотрудников Сибирского центра синхротронного и терагерцового излучения за 2007 год [сборник]
Published: (2008)

Многослойные неоднородные голографические дифракционные структуры в фотополимеризующихся композициях с жидкими кристаллами
by: Шарангович, Сергей Николаевич

Исследование дифракции света на электрически управляемых многослойных неоднородных голографических ФПМ-ЖК-дифракционных структурах
by: Шарангович, Сергей Николаевич

Исследование влияния режимов выращивания и легирования активной области Ик-диодов на основе GaAs(Si) на эффективность излучения
by: Гущин, Сергей Михайлович

Поликристаллические пленки арсенида галлия на инородных подложках

Координатные детекторы рентгеновского излучения на арсениде галлия

Концентрация основных носителей заряда в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n(p)-HgCdTe, определенная из емкостных измерений
by: Несмелов, Сергей Николаевич

Исследование влияния примесей на синтез нанокристаллических слоев нитрида титана из плазмы электродугового разряда

Международная конференция "Физическая мезомеханика. Материалы с многоуровневой иерархически организованной структурой и интеллектуальные производственные технологии", посвященная 90-летию со дня рождения основателя и первого директора ИФПМ СО РАН академика Виктора Евгеньевича Панина в рамках Международного междисциплинарного симпозиума "Иерархические материалы: разработка и приложения для новых технологий и надежных конструкций", 5-9 октября 2020 года, Томск, Россия тезисы докладов
Published: (2020)

Латеральная эпитаксия арсенида галлия в системах ГФЭ
by: Ивонин, Иван Варфоломеевич

Интегральные схемы на основе арсенида галлия, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V"(3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) материалы конференции
Published: (2006)

Использование жесткого синхротронного излучения для дифракционных исследований композиционных и функциональных материалов
by: Анчаров, Алексей Игоревич

Рентгеновский метод количественной оценки величины модуля упругости в материалах с градиентным изменением параметров структуры
by: Остапенко, Марина Геннадьевна

Детекторы гамма-квантов на основе эпитаксиальных слоев GaAs:S,Cr

Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions

Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn

Образование фазовых и структурно-примесных неоднородностей при газофазовой эпитаксии соединений AɪɪɪBv
by: Ивонин, Иван Варфоломеевич

Photoluminescence tuning via cation substitution in oxonitridosilicate phosphors: DFT calculations, different site occupations, and luminescence mechanisms

Low-temperature synthesis and structural properties of PbMoO4 nanocrystals

Рентгеноструктурный анализ учебное пособие
by: Савицкая, Лидия Константиновна
Published: (2006)

Анализ структурных преобразований, происходящих в поверхностных слоях образцов из сплава Д16 при трении скольжения

Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок [сборник статей]
Published: (1977)

Дифракционные исследования ультрадисперсных и наноструктурированных систем, актуальных для гетерогенного катализа сборник избранных статей, опубликованных в "Журнале структурной химии" за 25 лет
Published: (2016)