Etching or Stabilization of GaAs(001) under Alkali and Halogen Adsorption

Etching or Stabilization of GaAs(001) under Alkali and Halogen Adsorption

Bibliographic Details
Published in:The Journal of Physical Chemistry C Vol. 116, № 15. P. 8535-8540
Corporate Authors: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Физический факультет Кафедра теоретической физики
Other Authors: Paget, D., Toropetsky, K. V., Alperovich, V. L., Eremeev, Sergey V., Bakulin, Alexander V., Kulkova, Svetlana E., Doyle, B. P., Nannarone, S., Tereshchenko, Oleg E.
Format: Article
Language:English
Subjects:
адсорбция
щелочь
галоген
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000431189
Перейти в каталог НБ ТГУ

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000431189
Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items