Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных p-i-n структур на основе компенсированного арсенида галия
| Published in: | Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г. С. 148 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |