Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Bibliographic Details
Published in:	СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т. Т. 2 Т. 2. С. 707-708
Corporate Authors:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ
Other Authors:	Korotaev, Alexander G., Kokhanenko, Andrey P., Nikiforov, Alexander I., Pishchagin, Anton A.
Format:	Book Chapter
Language:	English
Subjects:	германий-кремний молекулярно-лучевая эпитаксия квантовые точки адмиттанс фотоэлектрические свойства статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000520589 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items