Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Show other versions (1)

Bibliographic Details
Published in:	СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т. Т. 2 Т. 2. С. 707-708
Corporate Authors:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ
Other Authors:	Korotaev, Alexander G., Kokhanenko, Andrey P., Nikiforov, Alexander I., Pishchagin, Anton A.
Format:	Book Chapter
Language:	English
Subjects:	германий-кремний молекулярно-лучевая эпитаксия квантовые точки адмиттанс фотоэлектрические свойства статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000520589 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions

Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
by: Kokhanenko, Andrey P.

Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Admittance spectroscopy of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots

Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
by: Lozovoy, Kirill A.

Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
by: Кукенов, Олжас Игоревич

Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур
by: Гнеушев, Анатолий Владимирович

Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions

Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
by: Духан, Рахаф М. Х.

Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Surface structure of thin pseudomorphous GeSi layers
by: Nikiforov, Alexander I.

Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si
by: Ишков, Арман Дмитриевич

Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Phonon bottleneck in p-type Ge/Si quantum dots

Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors

Admittance of barrier structures based on mercury cadmium telluride

Controlling of Ge quantum dots arrays parameters in Ge/Si nanoheterostructures grown by molecular beam epitaxy method

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K

Temperature spectra of conductance of Ge/ Si p-i-n structures with Ge quantum dots

Elongated quantum dots of Ge on Si growth kinetics modeling with respect to the additional energy of edges

Разработка конструкции высокоэффективного преобразователя солнечной энергии на основе полупроводниковых структур Ge/Si с квантовыми точками Ge
by: Пищагин, Антон Александрович

Comparison of the growth processes of germanium quantum dots on the Si (100) and Si(111) surfaces
by: Kokhanenko, Andrey P.

Admittance of MIS-structures based on HgCdTe with a double-layer CdTe/Al2O3 insulator

Admittance of MIS structures based on MBE Hg1 -xCdxTe (x = 0.21-0.23) in a wide temperature range

Electronic states in vertically ordered Ge/Si quantum dots detected by photocurrent spectroscopy

Admittance Spectroscopy for the Research of Germanium-on-Silicon Quantum Dot Structures Parameters

К расчету параметров самоорганизующихся наноостровков германия на кремнии
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
by: Коханенко, Андрей Павлович

Admittance dependences of the mid-wave infrared barrier structure based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

Suppression of hole relaxation in small sized Ge/Si quantum dots