Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.27.06

Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.27.06

Bibliographic Details
Main Author: Ермошин, Иван Геннадьевич
Format: Book
Language:Russian
Published: Москва [б. и.] 2009
Subjects:
Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
авторефераты диссертаций
Online Access:Перейти в каталог НБ ТГУ

Internet

Перейти в каталог НБ ТГУ

Научная библиотека ТГУ: Книгохранилище

Holdings details from Научная библиотека ТГУ: Книгохранилище
Call Number: 1-950668к
Available  Place a Hold

Similar Items