Исследования вицинальных поверхностей эпитаксиальных слоев GaAs(001), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
Опубликовано в: : | Физика твердого тела : материалы VIII Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 2002 г. С. 70-72 |
---|---|
Главный автор: | |
Формат: | Статья в сборнике |
Язык: | Russian |
Предметы: | |
Online-ссылка: | Перейти в каталог НБ ТГУ |