Исследования вицинальных поверхностей эпитаксиальных слоев GaAs(001), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
Published in: | Физика твердого тела : материалы VIII Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 2002 г. С. 70-72 |
---|---|
Main Author: | Анисимова, Любовь Леонидовна |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Исследование ростовых поверхностей вицинальных ᶲº(001) граней GaAs, выращенных МЛЭ при низкой температуре
-
Облучение высокоэнергетическими электронами эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Григорьев, Денис Валерьевич -
Исследование фотоэлектрических свойств эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Ходкевич, Д. В. -
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок теллурида кадмия ртути, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Ходкевич, Д. В. - Рентгенотопографические исследования дислокационной структуры эпитаксиальных слоев GeSi, выращенных на вицинальных подложках Si (001)