Компьютерное моделирование движения разориентированных ступеней при эпитаксии Si/Si(001)

Компьютерное моделирование движения разориентированных ступеней при эпитаксии Si/Si(001)

Bibliographic Details
Published in:	Физика твердого тела : материалы IX Российской научной студенческой конференции, 12-14 мая 2004 г. С. 106-107
Main Author:	Чернов, И. Д.
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	физика полупроводников физика диэлектриков компьютерное моделирование эпитаксия
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Компьютерное моделирование процессов поверхностной миграции и зародышеобразования при кристаллизации из молекулярных пучков с участием сурфактантов
by: Степанцова, Ю. Ю.

Моделирование изотермической жидкофазной эпитаксии соединений A3B5 при избыточном давлении пара элемента пятой группы
by: Савченко, В. А.

Начальная стадия формирования 3D-островков при эпитаксии по механизму Фольмера-Вебера
by: Тюрин, К. Г.

Исследования вицинальных поверхностей эпитаксиальных слоев GaAs(001), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
by: Анисимова, Любовь Леонидовна

Компьютерное графическое моделирование излома элементарной ступени на поверхности GaAs(100)
by: Шилова, Т. А.

Особенности получения эпитаксиальных пленок КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Латтеган, А. Г.

Удвоения частоты осцилляций зеркального рефлекса картины дифракции быстрых электронов на отражение при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs
by: Ващенко, В. П.

Влияние условий зарождения пленок GaN на их полярность при молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Хамзин, Т. Х.

Автоматизация управления испарителями в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Орликов, Николай Леонидович

Исследование фотоэлектрических свойств эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Ходкевич, Д. В.

Влияние температуры подложки и скорости роста на состав твердого раствора GaPxAs1-x при молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Круглов, А. С.

Исследование процессов роста слоев InGaAs при низкотемпературной молекулярно-пучковой эпитаксии
by: Круогла, Е. К.

Морфология поверхности эпитаксиальных слоев арсенида галия, выращенных на вициналях φ0(111)А и φ0(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Анисимова, Любовь Леонидовна

Рентгенотопографические исследования дислокационной структуры эпитаксиальных слоев GeSi, выращенных на вицинальных подложках Si (001)

Влияние реконструкции поверхности GaAs(001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии
by: Попов, А. В.

Компьютерное моделирование процессов поверхностной миграции и зародышеобразования при кристаллизации из молекулярных пучков с участием сурфактантов
by: Степанцова, Ю. Ю.

Влияние температуры роста и отношения потоков As/Ga на электрофизические свойства слоев легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах
by: Цаплин, В. Б.

Электрические характеристики GexSi1-x/Si-гетероструктур
by: Дзядух, Станислав Михайлович

Компьютерное моделирование электронной структуры оксида и сульфида магния
by: Жауров, А. В.

Влияние электронного пучка дифракции быстрых электронов на морфологию поверхности гетероструктур CaF2/Si(100)
by: Остертак, Д. И.

Влияние условий роста на морфологию поверхности эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок теллурида кадмия ртути, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Ходкевич, Д. В.

Компьютерное моделирование явления зарядовой асимметрии при торможении тяжелых зарядных частиц в веществе
by: Савельев, В. И.

Исследование фотоэлектрических свойств эпитаксиальных пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Чарыков, И. В.

Изучение поверхности Si(111) методом атомно-силовой микроскопии
by: Родякина, Екатерина Евгеньевна

Теоретическое исследование процессов захвата примеси эшелоном ступеней при росте кристалла
by: Чебодаев, Михаил Иванович

Деградация формованных структур Mo-SiO2+C-Al
by: Сахаров, Юрий Владимирович

Закономерности легирования и формирования примесно-вакансионных комплексов в условиях газофазовой эпитаксии арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Бобровникова, Ирина Анатольевна
Published: (1989)

Резонансное туннелирование в нанокластерах Au на поверхности тонких пленок SiO2/Si при исследовании методом комбинированной АСМ/СТМ
by: Лапшина, М. А.

СВЧ поглощение в сверхтонких слоях NixSi1-x

Повышение квантовой эффективности ИК-фотоприемников на основе PtSi-Si
by: Несмелов, Сергей Николаевич

Фотоэлектрические свойства неоднородных SiSiO2-структур
by: Соколов, В. Н.

Самоорганизация наноостровков Ge на Si (211)
by: Самарин, А. А.

Исследование свойств гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge
by: Турапин, Алексей Михайлович

Математическое моделирование процессов травления
by: Ивашковская, И. С.

Монте-Карло-моделирование элементарных процессов роста на ступени конечной длины
by: Алексеев, Г. Г.

Фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев InGaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией
by: Полтавец, И. Ю.

Влияние реконструкции поверхности GaAs (001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии
by: Попова, А. В

Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
by: Дирко, Владимир Владиславович
Published: (2022)

Роль морфологии в формировании электронных спектров, оптических и электрофизических характеристик тонких пленок а-Si:H, а-C:H и а-Si 1-x Cx:H Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.10
by: Лигачев, Валерий Алексеевич
Published: (1998)