Влияние температуры роста и отношения потоков As/Ga на электрофизические свойства слоев легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах
Published in: | Физика твердого тела : материалы IX Российской научной студенческой конференции, 12-14 мая 2004 г. С. 102-104 |
---|---|
Main Author: | |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |