Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)

Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 55, № 10. С. 92-99
Main Author: Караваев, Геннадий Федорович
Corporate Author: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Other Authors: Чернышов, Виктор Николаевич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
гетероструктуры
псевдопотенциал
условная сшивания
квантовые ямы
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000450097
Перейти в каталог НБ ТГУ

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000450097
Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items