Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Bibliographic Details
Main Author: Дзядух, Станислав Михайлович
Corporate Authors: Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск)
Other Authors: Войцеховский, Александр Васильевич (Thesis advisor)
Format: Book
Language:Russian
Published: Томск [б. и.] 2010
Subjects:
физика полупроводников
диссертации
МДП-структуры
эпитаксия молекулярно-лучевая
МОП-структуры
гетероэпитаксиальные пленки HgCdTe
теллуриды кадмия
теллуриды ртути
варизонные структуры приповерхностные
границы раздела
диэлектрические покрытия пассивирующие
подложки арсенидгаллиевые
электрофизические характеристики HgCdTe
фотоэлектрические характеристики HgCdTe

Научная библиотека ТГУ: Книгохранилище

Holdings details from Научная библиотека ТГУ: Книгохранилище
Call Number: 1-987179к
Available  Place a Hold

Similar Items