Electrical characteristics of n-GaAs-anode film-Ga2O3-metal structures

Electrical characteristics of n-GaAs-anode film-Ga2O3-metal structures

Bibliographic Details
Published in:Semiconductors Vol. 46, № 8. P. 1003-1007
Corporate Authors: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
Other Authors: Valiev, K. I., Zarubin, Andrei N., Petrova, Yu. S., Tolbanov, Oleg P., Tyazhev, Anton V., Yaskevich, T. M., Kalygina, Vera M.
Format: Article
Language:English
Subjects:
пленки
термический отжиг
анодные пленки
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000436233
Перейти в каталог НБ ТГУ

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000436233
Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items