Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур

Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур

Bibliographic Details
Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 4. С. 102-109
Corporate Authors:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Other Authors:	Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Васильев, Владимир Васильевич физик, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Кузьмин, Валерий Давыдович, Ремесник, Владимир Григорьевич, Войцеховский, Александр Васильевич
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	МДП-структуры молекулярно-лучевая эпитаксия теллурид кадмия-ртути пространственные заряды проводимость статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000481855

Similar Items

Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур

Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23)

Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30)

Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22—0,23 и 0,31—0,32) в широком диапазоне температур

Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe в широком диапазоне температур
by: Несмелов, Сергей Николаевич

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Дзядух, Станислав Михайлович

Исследование структуры МДП на основе узкозонного полупроводника Hq1-xCdxTe

Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21...0,23) в диапазоне температур 9...77 К

Исследование методом спектроскопии адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ Hg1–xCdxTe после ионной имплантации бора

Admittance of MIS structures based on MBE Hg1 -xCdxTe (x = 0.21-0.23) in a wide temperature range

Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0,29–0,31) с резкими неоднородностями по составу

Концентрация электронов в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40), определенная из емкостных измерений МДП-структур

Фоторезисторный приемник на основе Hq1-xCdxTe
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Properties of arsenic-implanted Hg1-xCdxTe MBE films

Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур

Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К

Impact of the graded-gap layer on the admittance of MIS structures based on MBE-grown n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) with the Al2O3 insulator

Investigation of the effect of soft X-ray radiation on the electrophysical characteristics of epitaxial layers n-Hg1-xCdxTe

Annealing kinetics of radiation defects in boron-implanted p-Hg1-xCdxTe
by: Talipov, Niyaz Kh

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Особенности магнитных свойств полупроводников Hg1-xCdxTe, Hg1-xMnxTe автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07
by: Шестаков, Алексей Валерьевич
Published: (2021)

Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

МДП-структуры на основе варизонного МЛЭ HgCdTe для инфракрасных детекторов

Влияние освещения на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe

Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Войцеховский, Александр Васильевич

О природе конверсии МЛЭ гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1-xTe в процессе отжига

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Influence of composition of Hg1-xCdxTe(x = 0.22-0.57) epitaxial film on dynamics of accumulation and spatial distribution of electrically active radiation defects after boron implantation

Electron concentration in the near-surface graded-gap layer of MBE n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.40) determined from the capacitance measurements of MIS-structures

Оптимизация технологии формирования многоэлементных матричных ИК-фотоприемников на основе МЛЭ слоев CdxHg1-xТе
by: Талипов, Нияз Хатимович

Долговременная стабильность p-n переходов в МЛЭ гетероструктурах CdxHg1-xTe, сформированных ионным травлением

Излучательная рекомбинация в Cdx Hg1-x Te
by: Мехтиев, Ариф Шафаят оглы
Published: (1991)

Расчет профилей состава квантовых структур (HgTe-Hg1-xCdxTe)n в процессе их роста методом in situ эллипсометрии

Влияние состава варизонного слоя на формирование n+-n−-p-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe
by: Талипов, Нияз Хатимович

Адмиттанс многослойных органо-неорганических систем на основе пентацена в широком диапазоне температур

Разработка методик и аппаратуры для исследования МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe, созданного методом МЛЭ