Выращивание твердых растворов GaPxAs1-x методом молекулярно-лучевой эпитаксии: механизм формирования состава в подрешетке V группы
| Published in: | Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 219-222 |
|---|---|
| Other Authors: | , , |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Bibliography: | Библиогр.: 8 назв. |
|---|