Исследование структуры и морфологии поверхности GaAs(100) при вакуумном отжиге методами эллипсометрии и дифракции быстрых электронов
Published in: | Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 223-226 |
---|---|
Main Author: | Васев, Андрей Васильевич |
Other Authors: | Путято, Михаил Альбертович, Преображенский, Валерий Владимирович |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Исследование взаимодействия молекулярного водорода с поверхностью GaAs(001) методом эллипсометрии
by: Васев, Андрей Васильевич -
Исследование конденсации аморфного мышьяка на атомарно-чистой поверхности GaAs (100) (4x2)/(8x2) методом in situ эллипсометрии
by: Васев, Андрей Васильевич - Изменение морфологии поверхности кристаллов антрацена при отжиге
-
Использование метода спектральной эллипсометрии в исследовании свойств биосовместимых покрытий на основе гидроксиапатита
by: Шаронова, А. А. - Расчет профилей состава квантовых структур (HgTe-Hg1-xCdxTe)n в процессе их роста методом in situ эллипсометрии