Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN

Bibliographic Details
Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 55, № 8/2. С. 89-90
Corporate Authors:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники, Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
Other Authors:	Пономарев, Иван Викторович, Романов, Иван Сергеевич, Копьев, Виктор Васильевич, Прудаев, Илья Анатольевич
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	фотолюминесценция нитрид галлия светодиоды гетероструктуры статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448596

Similar Items