Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Похожие документы

• Детекторы ИК-диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si
• Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
  по: Лозовой, Кирилл Александрович
• Двунаправленный фототок дырок в слоях квантовых точек Ge/Si
• Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
  по: Коханенко, Андрей Павлович
• Performance analysis of multilayer Ge/Si photodetector with quantum dots
  по: Dukhan, Rahaf M. H.