Анодные пленки Ga2О3 в МДП-структурах на основе арсенида галлия

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Известия высших учебных заведений. Физика Т. 55, № 8/2. С. 71-74
Корпоративные авторы: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники, Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Другие авторы: Вишникина, Вера Валерьевна, Зарубин, Андрей Николаевич, Петрова, Юлианна Сергеевна, Толбанов, Олег Петрович, Тяжев, Антон Владимирович, Яскевич, Тамара Михайловна, Калыгина, Вера Михайловна
Формат: Статья в журнале
Язык:Russian
Предметы:
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448317
Перейти в каталог НБ ТГУ