Анодные пленки Ga2О3 в МДП-структурах на основе арсенида галлия
Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 55, № 8/2. С. 71-74 |
---|---|
Corporate Authors: | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники, Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ |
Other Authors: | Вишникина, Вера Валерьевна, Зарубин, Андрей Николаевич, Петрова, Юлианна Сергеевна, Толбанов, Олег Петрович, Тяжев, Антон Владимирович, Яскевич, Тамара Михайловна, Калыгина, Вера Михайловна |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448317 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Анодные пленки Ga2O3. Влияние термического отжига на свойства пленок
- Свойства структур Ga2O3–GaAs в видимом и УФ-диапазонах
- Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs
-
Фотоэлектрические характеристики пленок GaxOy и структур на их основе
by: Егорова, Ирина Максимовна - Electrical characteristics of n-GaAs-anode film-Ga2O3-metal structures