Пленки оксида галлия, полученные методом термического напыления
Published in: | Физика и техника полупроводников Т. 47, вып. 5. С. 598-603 |
---|---|
Corporate Authors: | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ |
Other Authors: | Зарубин, Андрей Николаевич, Новиков, Владимир Александрович, Петрова, Юлианна Сергеевна, Толбанов, Олег Петрович, Тяжев, Антон Владимирович, Цупий, Светлана Юрьевна, Яскевич, Тамара Михайловна, Калыгина, Вера Михайловна |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000460041 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Исследование возможностей термического напыления тонких слоев Ga2O3 и GaSe на подложки из сапфира и селенида галлия
- Влияние отжига в аргоне на свойства пленок оксида галлия, полученных термическим напылением
- Исследование возможностей термического напыления тонких слоев Ga2O3 и GaSe на подложки из сапфира и селенида галлия
-
Фотоэлектрические характеристики пленок GaxOy и структур на их основе
by: Егорова, Ирина Максимовна - Oxygen sensors based on gallium oxide thin films with addition of chromium