Исследование влияния параметров базы на переходные процессы кремниевых диодов диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Bibliographic Details
Main Author:	Зайдман, Софья Ароновна
Corporate Author:	Томский государственный университет
Other Authors:	Гаман, Василий Иванович 1929-2021 (Thesis advisor)
Format:	eBook
Language:	Russian
Published:	Томск [б. и.] 1966
Subjects:	диссертации полупроводниковые приборы. диоды кремниевые переходные процессы уровни инъекций низкие уровни инъекций высокие переключения направлений нестационарные процессы. время жизни носителей заряда дислокации в полупроводниках центры рекомбинаций термозакалка кремния облучение быстрыми нейтронами отжиг радиационных дефектов поверхностные свойства кремния скорость поверхностной рекомбинации переходные характеристики расчетные формулы. геометрические формы диодов температурная зависимость дефекты объемные инерционность диодов
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000465438

Holdings details from Научная библиотека ТГУ: Книгохранилище
Call Number:	905625
	Available Place a Hold

Similar Items