The Ir-n-GaAs Schottky barrier contacts made by electrochemical deposition

The Ir-n-GaAs Schottky barrier contacts made by electrochemical deposition

Bibliographic Details
Published in:Journal of applied physics Vol. 115, № 22. P. 224505-1-224505-8
Corporate Authors: Томский государственный университет Химический факультет Научные подразделения ХФ, Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ
Other Authors: Shmargunov, A. V., Bekezina, T. P., Torkhov, Nikolay A., Novikov, Vladimir A., Bozhkov, V. G.
Format: Article
Language:English
Subjects:
электрохимическое осаждение
Шоттки барьер
арсенид галлия
иридий
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000487152
Перейти в каталог НБ ТГУ

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000487152
Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items