|
|
|
|
| LEADER |
02259nab a2200373 c 4500 |
| 001 |
vtls000493229 |
| 003 |
RU-ToGU |
| 005 |
20241016174958.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
170612|2014 ru s c rus d |
| 035 |
|
|
|a to000493229
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией
|c А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников и др.
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 64 назв.
|
| 653 |
|
|
|a квантовые точки
|
| 653 |
|
|
|a молекулярно-лучевая эпитаксия
|
| 653 |
|
|
|a германий
|
| 653 |
|
|
|a кремний
|
| 653 |
|
|
|a механизм роста Странского - Крастанова
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 700 |
1 |
|
|a Войцеховский, Александр Васильевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Мельников, Александр Александрович
|c доктор физ.-мат. наук
|
| 700 |
1 |
|
|a Несмелов, Сергей Николаевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Коханенко, Андрей Павлович
|
| 700 |
1 |
|
|a Лозовой, Кирилл Александрович
|
| 700 |
1 |
|
|a Кульчицкий, Николай Александрович
|
| 710 |
2 |
|
|a Томский государственный университет
|b Радиофизический факультет
|b Кафедра квантовой электроники и фотоники
|
| 710 |
2 |
|
|a Томский государственный университет
|b Радиофизический факультет
|b Научные подразделения РФФ
|
| 710 |
2 |
|
|a Томский государственный университет
|b Сибирский физико-технический институт
|b Научные подразделения СФТИ
|
| 773 |
0 |
|
|t Нано- и микросистемная техника
|d 2014
|g № 9. С. 20-31
|x 1813-8586
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
7 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000493229
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 362856
|d 362856
|
