О природе трещин на примере монокристаллического кремния, подвергнутого анодному травлению
Опубликовано в: : | Физика и техника полупроводников Т. 48, вып. 8. С. 1117-1122 |
---|---|
Соавтор: | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ |
Другие авторы: | Герасименко, Николай Николаевич, Старков, В. В., Медетов, Нурлан Амирович, Токмолдин, Серекбол Жарылгапович, Гостева, Е. А., Тыныштыкбаев, К. Б. |
Формат: | Статья в журнале |
Язык: | Russian |
Предметы: | |
Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000495288 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Похожие документы
-
Способ безрезистного травления пленок диоксида кремния в «окнах» фотолитографического рисунка
по: Гудымович, Елена Никифоровна -
Изучение развития анодного растворения гетерофазного электрода путем анализа изображений поверхности
по: Тарасова, Н. В. -
Формирование пористого кремния методами металл-стимулированного химического травления и электрохимического травления
по: Круковский, Константин Витальевич -
Химические технологии в производстве микроэлектромеханических систем учебное пособие для вузов
по: Родионов Ю. А.
Публикация: (2023) -
Тезисы докладов Второй Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), 9-11 февраля 2000 г., Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет)
Публикация: (2000)