Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Bibliographic Details
Published in:Нано- и микросистемная техника № 2. С. 9-20
Corporate Authors: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
Other Authors: Войцеховский, Александр Васильевич, Мельников, Александр Александрович доктор физ.-мат. наук, Коханенко, Андрей Павлович, Лозовой, Кирилл Александрович, Сатдаров, Вадим Газизович, Кульчицкий, Николай Александрович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000501493