Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Bibliographic Details
Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 9. С. 86-89
Corporate Authors:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
Other Authors:	Прудаев, Илья Анатольевич, Бактыбаев, Азамат Абдухашимулы, Романов, Иван Сергеевич, Зубрилкина, Юлия Леонидовна
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	светодиоды гетероструктуры квантовые ямы вольт-амперные характеристики статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000502136

Similar Items