Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения

Bibliographic Details
Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 8/2. С. 271-273
Main Author:	Войцеховский, Александр Васильевич
Corporate Authors:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Other Authors:	Горн, Дмитрий Игоревич
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	квантовые ямы полупроводники светодиоды нитрид галлия статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000522392

Similar Items