Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения

Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения

Bibliographic Details
Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 8/2. С. 271-273
Main Author:	Войцеховский, Александр Васильевич
Corporate Authors:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Other Authors:	Горн, Дмитрий Игоревич
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	квантовые ямы полупроводники светодиоды нитрид галлия статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000522392

Similar Items

Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Effect of the barrier thickness on the optical properties of InGaN/GaN/Al2O3 (0001) LED heterostructures

Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока

Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN

Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates

Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами

Comparative analysis of efficiency droop in InGaN/GaN lightemitting diodes for electrical and optical pumping conditions
by: Kopyev, Viktor V.

Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
by: Давыдов, Валерий Николаевич

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
by: Брудный, Валентин Натанович

Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C
by: Романов, Иван Сергеевич

Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках

Пьезоэлектрическая релаксация двумерного электронного газа в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN
by: Бурмистров, Евгений Романович

Влияние диффузии магния в активную область светодиодных структур с квантовыми ямами InGan/Gan на внутреннюю квантовую эффективность

Расчет характеристик синего светодиода GaN с одной квантовой ямой
by: Шабанов, Генрих Александрович

Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
by: Копьев, Виктор Васильевич

Исследование вольт-фарадных характеристик светодиодов с множественными квантовыми ямами GaInP/AlGaInP
by: Бессонов, Дмитрий Владимирович

Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN
by: Копьев, Виктор Васильевич

Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN

Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells

Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
by: Бурмистров, Евгений Романович

Спад квантовой эффективности в структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
by: Копьев, Виктор Васильевич

Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
by: Prudaev, Ilya A.

Исследование лазерного отстрела пленки GaN от эпитаксиальной подложки излучением эксимерного KrF-лазера

Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg

Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Копьев, Виктор Васильевич
Published: (2019)

Падение эффективности в светодиодных структуах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
by: Копьев, Виктор Васильевич

Generation of terahertz radiation in LED heterostructures with multiple InGaN/GaN quantum wells at two-photon excitation by femtosecond

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
by: Караваев, Геннадий Федорович

Diffusion of magnesium in LED structures with InGaN/GaN quantum wells at true growth temperatures 860-980°C of p-GaN
by: Romanov, I. S.