Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes

Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes

The results of experimental investigation of forward current-voltage characteristics of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes are presented. A new model for explaining the complex current dependence on voltage is proposed. The model is based on the assumption of space charge limited...

Full description

Bibliographic Details
Published in:	Physica status solidi A Vol. 212, № 5. P. 930-934
Main Author:	Prudaev, Ilya A.
Corporate Author:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
Other Authors:	Tolbanov, Oleg P., Khludkov, Stanislav S
Format:	Article
Language:	English
Subjects:	нитрид индия-галлия нитрид галлия вольт-амперные характеристики светоизлучающие диоды статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000529688 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells

Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation

Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Generation of terahertz radiation in LED heterostructures with multiple InGaN/GaN quantum wells at two-photon excitation by femtosecond

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN

Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
by: Копьев, Виктор Васильевич

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
by: Брудный, Валентин Натанович

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN

Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Необратимый характер реакции осаждения GaN в хлорид-гидридном процессе

Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN

Оптические функции и электронная структура гексагонального w-GaN
by: Стерхова, М. А.

The surface roughening of GaN by wet chemical etching

Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN

Эпитаксиальные слои GaN, выращенные хлорид-гидридным методом, и их свойства

Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами

Формирование морфологии на поверхности n-GaN методом жидкостного химического травления
by: Засухин, Дмитрий Иннокентьевич

Моделирование характеристик нормально закрытого AlGaN/GaN HEMT в пакете Sentaurus TCAD
by: Курчин, Константин Николаевич

Особенности энергетического спектра электронов гексагонального GaN и его твердых растворов YxGa1-xN (Y ≡ B, Al, In)
by: Литинский, Аркадий Овсеевич

Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами

Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1

Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока

Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки

Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN
by: Новиков, Вадим Александрович

The Blue Laser Diode : GaN Based Light Emitters and Lasers/
by: Nakamura, Shuji, et al.
Published: (1997)

Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN

Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg

Пассивные МИС для создания СВЧ-усилителей мощности на основе дискретных GaN-транзисторов

Исследование лазерного отстрела пленки GaN от эпитаксиальной подложки излучением эксимерного KrF-лазера

On the effect of ballistic overflow on the temperature dependence of the quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes

Ограничение тока в светодиодах на основе нитридов A3B5 при прямом смещении
by: Прудаев, Илья Анатольевич

Исследование фотоприемников ультрафиолетового диапазона на основе нитрида галлия

Влияние диффузии магния в активную область светодиодных структур с квантовыми ямами InGan/Gan на внутреннюю квантовую эффективность

Контроль полярности пленок GaN при росте методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на АL2O3(0001)

Получение и исследование свойств эпитаксиальных слоев GaN, выращенных мос-гидричным методом на подложках сапфира с использованием различных буферных слоев