Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells

The results of experimental studies of forward current-voltage characteristics of blue LEDs with an active region consisting of the multiple InGaN/GaN quantum wells are presented. A model explaining the limitation of the forward current at decreasing temperature is proposed. The model is based on th...

Full description

Bibliographic Details

Published in:	Russian physics journal Vol. 57, № 9. P. 1246-1250
Corporate Authors:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники, Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
Other Authors:	Prudaev, Ilya A., Baktybaev, A. A., Romanov, I. S., Zubrilkina, Yu. L.
Format:	Article
Language:	English
Subjects:	квантовые точки нитрид индия-галлия нитрид галлия вольт-амперные характеристики статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000531916 Перейти в каталог НБ ТГУ