Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation

In this paper the results of experiments on terahertz generation from nitride light-emitting diode heterostructures under twophoton excitation by femtosecond laser pulses are reported. Dependencies of the photoluminescence and terahertz spectra on structural properties of the samples and intensity o...

Full description

Bibliographic Details

Published in:	Physica status solidi B Vol. 252, № 5. P. 946-951
Corporate Author:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
Other Authors:	Prudaev, Ilya A., Tolbanov, Oleg P., Kosobutsky, Alexey V., Sarkisov, Sergey Yu
Format:	Article
Language:	English
Subjects:	фотолюминесценция нитрид индия-галлия нитрид галлия светодиоды квантовые ямы статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000534661 Перейти в каталог НБ ТГУ